中国芯传捷报 国产光刻机打破技术封锁 没有ASM(4图)
2020-05-26
编者按:大家都知道,在全球科技发展史中,我国一直都扮演着追随者的角色,即便在科技强国的道理下,我国在通信、互联网等层面的发展程度已经超过了欧美国家,但最为关键的芯片,我国企业依旧受限于人。要知道,芯片作为电子产品的核心零件部分,直接决定了产品的性能,所以在缺乏芯片技术的情况下,也使得我国庞大电子产业结构不可避免需要面临风险。

在一般情况下,芯片当前普遍被应用在通信、航天、医疗等重要领域,由于做工和对精细度的要求较高,因此科研实力较为薄弱的公司,很难在芯片技术上实现突破。通常,芯片的生产包括了2大环节,一个是芯片架构的设计,另一个是制造,但限制我国芯片产业发展的并非是设计环节,而是制造。



目前,包括华为海思、紫光展锐都实现了独立设计芯片架构,但是芯片制造环节,尤其是对工艺制程要求较高的芯片,却一直都需要依赖于台积电,毕竟从现阶段来看,只有台积电才能获得荷兰ASML公司的高端光刻机,要知道,光刻机作为芯片制造环节的核心部件,在缺乏了光刻机设备后,芯片也只能依附在图纸上。



即便在去年,作为国内芯片代工巨头的中芯国际,为了能够实现7nm工艺制程,向荷兰ASML公司订购了一台高端EUV,但是在美国的无端阻碍下,导致荷兰ASML公司高端光刻机一直都未成功交付。好在国家和各行各业的重视下,中国芯片传来捷报,国产光刻机打破技术封锁,没有ASML照样独立自主。

根据媒体在此前的报道,当前上海微电子成功打破技术封锁,自主研发出28nm光刻机,预计在2021年交付首台国产28nm光刻机。虽然在相比之下,当前国产光刻机的工艺制程与荷兰ASML还有很大的差距,但这对于我国芯片发展产业而言,将会是一大重要的里程碑。至少在28nm生产环节,我国可以实现独立自主。



除了上海微电子之外,武汉光电研究中心的甘棕松团队,采用二束激光在自研的光刻胶上突破了光束衍射极限的限制,采用远场光学的办法,光刻出最小9nm线宽的线段,实现了从超分辨成像到超衍射极限光刻制造的重大创新,若是将该技术使用到光刻机领域,必然在打破9nm工艺局限的同时,拥有知识产权。



实际上,除了在光刻机层面的技术突破外,近两年来我国在芯片领域频繁传来捷报,比如中芯国际投产14nm工艺产线,华为海思实现7nm芯片框架设计等。当然,这一切耀眼成绩背后,不仅仅只是为了避免卡脖子,更多的则是在当前美国对我国科技发展肆意打压的背景下,我们必须掌握核心技术。
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